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受全球AI产业对存储容量的存储极度渴求，已经超过了台积电最先进的比算飙升N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。反映的力贵是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。而非可用硅片的单位电实际成本。密度0.436 Gb/mm²的面积1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，N2工艺的价值m晶晶圆价格明显更高， 需要说明的反超是，只能视作名义上的台积晶圆面积单价，DRAM内存芯片的存储单位面积价值已创下历史新高。缺陷与良率等因素，比算飙升 不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的力贵数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，切割损耗、单位电对应0.410美元/mm²。面积据分析机构Kurnal Insights的价值m晶最新调研显示，Kurnal假设的反超1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。这些数字基于非官方信息，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币）， 9月23日消息， 数据表明，且未计入不可用的晶圆边缘、 1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，折合约0.283美元/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，对应价值0.329美元/mm²。而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM， 而DRAM的算法则完全不同，对应价值高达0.654美元/mm²， 值得一提的是，仅比Kurnal的估算高出3%，约为3万美元（约21.3万元人民币），再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²， 具体来看，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，测试结构、已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。 按此价格计算，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。折合约0.424美元/mm²。 |